11月14日，半導(dǎo)體午后繼續(xù)走低。截至13:20，半導(dǎo)體材料ETF（562590）跌超2%，盤中溢價交易，買盤資金活躍，持倉股漲跌不一，有研新材漲超3%，文一科技、拓荊科技跟漲；上海新陽領(lǐng)跌，跌超5%。

值得注意的是，半導(dǎo)體材料ETF（562590）連續(xù)4日獲資金增倉，累計吸金1.4億元。截至11月13日，半導(dǎo)體材料ETF（562590）規(guī)模首次達(dá)到4億元，為上市以來歷史新高，反映投資者對半導(dǎo)體上游板塊信心。

消息面上，得益于高通、聯(lián)發(fā)科的強(qiáng)勁帶動，加上NVIDIA、AMD、Intel三巨頭，臺積電明年上半年的3nm工藝產(chǎn)能利用率將達(dá)到100％，也就是持續(xù)滿負(fù)荷運(yùn)行。AI芯片的推動下，臺積電5nm更加火熱，產(chǎn)能利用率更是將達(dá)到101％，即超負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)。

天風(fēng)證券指出，近年來國家大力支持科技產(chǎn)業(yè)，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化迎來機(jī)遇。海關(guān)總署數(shù)據(jù)顯示，2024年前10個月，我國集成電路出口9311.7億元，同比增長21.4%。往后看，AI和汽車智能化滲透率提升有望進(jìn)一步帶動半導(dǎo)體需求復(fù)蘇。

半導(dǎo)體市場復(fù)蘇態(tài)勢向好，投資者不妨關(guān)注半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），產(chǎn)品緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)，指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（53.7%）、半導(dǎo)體材料（22.9%）占比靠前，合計權(quán)重超76%，充分聚焦指數(shù)主題，均為國產(chǎn)替代關(guān)鍵環(huán)節(jié)。